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研磨工艺是去除切割过程中造成碳化硅晶片的表面刀纹以及表面损伤层,修复切割产生的变形。 由于SiC的高硬度,研磨过程中必须使用高硬度的磨料(如碳化硼或金刚石粉)研
2022年12月15日 中电科48所陆续开发出碳化硅外延设备、高温高能离子注入机、高温激活炉、高温氧化炉,并持续研发第二代、第三代机型,截至目前,其碳化硅设备已在生产
摘 要:碳化硅单晶具有极高的硬度和脆性,传统加工方式已经不能有效地获得具有超高光滑表面的碳化硅晶片。 针对碳化硅单晶衬底加工技术,本文综述了碳化硅单晶切片、薄化与
2022年10月28日 所以在研磨、锯切和抛光阶段,挑战也非常大,其加工难主要体现在:(1)硬度大,莫氏硬度分布在9.2~9.6;(2)化学稳定性高,几乎不与任何强酸或强碱发
2023年5月10日 近日,多家企业宣布在碳化硅设备领域获得新进展。 晶盛机电: 6英寸双片式SiC外延设备 2月4日,晶盛机电宣布成功发布6英寸双片式SiC碳化硅外延设备,标志
2022年4月7日 24. (1)本技术实施例提出的一种碳化硅研磨设备,结构简单,当需要对碳化硅样品进行研磨时,保温盖体与所述保温筒体分离,通过下降第二研磨组件,下降到合适
2023年5月21日 由于SiC工艺的特殊性,传统用于Si基功率器件制备的设备已不能满足需求,需要增加一些专用的设备作为支撑,如材料制备中的碳化硅单晶生长炉、金刚线多线
2022年8月15日 碳化硅材料具有硬度大、耐磨损、弹性模量高等特性,目前,国内碳化硅冶炼及粉体主要用于耐火材料、磨料磨具、精细陶瓷的SiC粉体等。 研磨盘主要应用于高
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